PD快充
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随着充电器开关频率越来越高,功率密度越来越大,手机等消费类电子产品充电时间越来越短成为趋势,这个发展方向的核心决定因素则是功率芯片的开关速度。而制约开关速度的一大因素则是开关损耗,低开关损耗,低Trr成为芯片研发方向。

瑶芯微研发SJ超结MOS和SiC MOS以及SiC 二极管针对开关损耗优化,更高的开关速度,更低的震荡 ,促进快速充电器向更高功率密度迈进。