瑶芯SGT MOSFET系列产品基于成熟的屏蔽栅沟槽技术，通过优化电场分布和沟槽结构，显著降低Rsp（导通电阻Ron*芯片面积），相对上一代降低30%，结合高功率密度封装（如DFN、TO系列），在相同体积下输出更高功率，减少并联需求。同时，通过优化屏蔽栅设计，大幅降低栅极电荷Qg，反向恢复电荷Qrr，更利于减小关断损耗以及电流尖峰，增强整机系统稳定性。并且通过优化输入电容比值，加强了栅极抗串扰能力，使其不易发生米勒串扰(栅极电压“二次回弹”)，减小了直通风险。

• 低特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积），提高功率密度

• 低品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg），减小开关损耗

• 低反向恢复电荷Qrr，减小关断损耗

• 低反向恢复电流Irrm，减小关断电压应力

• 高可靠性，能够承受更高的雪崩击穿和浪涌电流

  
  

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