在人工智能的快速发展下，计算数据量呈指数级增长，对算力的需求也呈爆发式增长，带动电力需求快速扩张。作为能耗核心的服务器电源系统，正面临"效率每提升0.1%即节省百万级运维成本"的产业升级窗口期。瑶芯凭借深厚的全平台、全品类功率半导体技术沉淀，以SiC/SJ/SGT MOSFET三大技术平台构建覆盖25V-1500V的功率器件矩阵，助推AI数据中心产业实现"效能突围"。
技术平台亮点
SGT产品性能全球一流，多款产品业界最佳
以25V 30V 80V产品为代表，在服务器电源常用封装PDFN 5*6率先达到业界最低Ron以及最优FOM(Ron·Qg),为用户进一步追求高能效提供了完整的国产一站式解决方案，全家族平台代系隆重亮相，典型产品特征如下：
BIC：Best In Class
SiC MOS性能大幅提升，能效表现业界标杆
SJ 深耕多层外延工艺，实现国产替代
图腾柱PFC革命：SiC MOS重构能效边界
拓扑进化逻辑
在3kW+高功率场景中，传统交错并联Boost PFC拓扑因器件数量多、控制算法及损耗分布复杂，整机效率长期徘徊在94%瓶颈。瑶芯G5 650V SiC MOSFET驱动的图腾柱架构，通过"谷底电压开通"设计，成功突破96%效率临界点，实测400V母线电压下系统损耗较硅基SJ MOS降低62%（第三方CNAS实验室数据）。
AK1C65M033WAMH性能制胜点
• 热稳定性革命：创新的元胞结构，实现175℃结温下RDS(ON)温升系数144%（竞品普遍＞150%），使1kW/cm³功率密度设计成为可能。
• 动态损耗优化双引擎：
Qrr控制技术：通过精确控制载流子寿命，将反向恢复电荷降低30%（di/dt=1500A/us条件），配合门极驱动抗串扰设计，CCM模式开关损耗降低28%。
Eoss储能优化：创新结构设计使400V关断时Eoss=12uJ，较同等规格硅基SJ MOS降低40%，助力高频设计。
实测数据标杆：
在3.3kW服务器电源方案中，LLC部分搭配瑶芯600V 29mΩ SJ MOSFET，实现整机效率96.58% @50%负载、95.77% @100%负载的黄金曲线，较国际头部厂商方案提升0.2个百分点，国内主流厂商提升0.3个百分点，年节电量相当于减少12吨CO₂排放（按8kW机柜×24h运行测算）。
SJ技术突围：硬开关场景的可靠性革命
G2.5代Super Junction技术突破
瑶芯持续深耕多层外延工艺，优化器件的电荷存储和释放特性，使开关损耗更低，进一步抑制了 EMI。
AK3S60N355TMF 2kw CE测试
国内友商A 2kw CE测试
FOM双指标领先：Ron·Qgd、Ron·Qrr，领先国内友商，与国际头部厂商持平，特别适配PFC级高频硬开关以及LLC 等谐振类拓扑需求。
雪崩能量密度提升：单脉冲UIS能力达300mJ/cm²，满足IEC 61000-4-5 浪涌四级防护要求。
体二极管革命：快恢复特性trr<100ns，Qrr较传统工艺降低10倍，保证LLC谐振拓扑启机，空、满载切换，短路等复杂工况稳定可靠。
典型应用验证
某头部ODM厂商在2kW冗余电源模块中，采用瑶芯SJ MOSFET AK3S60N380WMF应用于LLC位置，成功实现进口器件替代，标志着国产功率器件在高端电源市场的技术突围。
SGT产品矩阵：毫米级功率密度攻坚战
热插拔架构突破
针对12V、48V总线服务器的Oring FET应用，25V 30V 80V SGT系列以平台化技术布局解决核心痛点：
超低导通内阻：功率密度及效率进一步提高
低压大电流SR应用-效率攻坚
针对高功率密度服务器电源，结合LLC同步整流软开关技术，解决高频（>200kHz）工况下的关断损耗与电流尖峰问题，满足GPU/CPU供电的瞬态响应要求。
• 栅极电荷（Qg）控制：优化屏蔽栅结构，将Qg@10V降至88nC（较前代降低40%），降低驱动损耗并支持更高频率开关（实测150kHz工况损耗降低22%）。
• 反向恢复电荷（Qrr）抑制：通过载流子寿命控制技术，将Qrr压降至160nC（600A/us条件），减少LLC谐振周期中的电流振荡幅度。
• 米勒电容比值优化：Cgd/Cgs比值从0.15降至0.08，规避栅极电压“二次回弹”风险。
生态共建：从器件到系统的价值传递
瑶芯SGT MOSFET产品已导入头部服务器电源厂商，累计出货数百万颗，推动国产功率器件在高端市场渗透率持续攀升。
技术引领，绿能筑基
瑶芯以全平台功率器件为核心，从材料创新到系统协同，为AI数据中心提供“效率+密度+可靠性”三位一体的解决方案。未来将持续深耕先进功率半导体技术，助力全球AI算力基建向零碳目标加速迈进。
