在新能源与电力电子产业蓬勃发展的背景下，数据中心不间断电源（UPS）、光伏并网系统、储能电站、新能源汽车充电桩等应用场景对IGBT器件的性能提出了高功率密度、高效率转换、高可靠性运行及成本优化的严苛要求。基于自主研发的 8 英寸 / 12 英寸兼容制造工艺平台，结合技术迭代体系，瑶芯成功推出第三代IGBT技术平台（S3），并率先完成产业化布局。经新能源领域多家头部客户测试验证，该平台多项核心性能指标达到国际领先水平，在细分应用领域已实现对国际头部企业的技术超越。
技术亮点：三大核心指标全面进化
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导通压降 Vce(sat) 再降 20 %
通过前沿半导体制造工艺与器件结构优化设计，该平台在技术指标上取得重大进展：电流密度提升幅度达 40%，饱和导通压降（Vcesat）降低 20%。上述技术创新成果能够显著提升电力电子系统的运行效能，大幅降低系统能耗以及系统体积，进而为用户创造可观的经济效益。
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开关损耗 Eoff 降低 50 %
基于高频应用场景的深度优化，S3系列 IGBT 器件通过创新设计实现了拖尾电流的显著降低与关断损耗的有效控制，凭借“低栅极电荷 + 软关断”设计，1200 V/75 A 器件在保持极低导通损耗的同时， Eoff较国际头部企业*7系列 降低 11 %（25 ℃Vcc=600V Vge=15V Rgon=8Ω Rgoff=8Ω），助力系统效率提升。
3
功率密度提升50 %
通过元胞结构优化，电流密度提升25%，同封装下达成1.82A/mm²行业新标杆！以S3技术平台为核心，为数据中心供电系统、光伏、储能、汽车充电提供更高功率、更小体积的硬核“芯”动力！
先进工艺，打造非凡性能
从产品设计之初，瑶芯就遵循严格的 DFMEA 标准，对每个细节都精雕细琢。在量产管理中，借助器件过应力失效数据库，全方位保障产品质量。小元胞尺寸设计、优化的 Cge/Cies 等先进工艺，为 IGBT 注入了强大动力，实现了低导通压降 Vcesat、低开关损耗、高电流密度以及优异的 EMI 特性。这些卓越性能，使得瑶芯IGBT 在复杂的电力环境中也能稳定高效运行。
性能对标，无缝平替
下面以T型三电平为例，通过PLECS软件和PLECS模型进行仿真对比：
仿真拓扑：T型三电平
仿真工况：15kW、10%过载、Vout=380V、PF=1、DC=800V、fsw=18kHz、风冷。
在 15kW 标准工况下，瑶芯 AK1BK2A040WHH 依托先进半导体工艺，实现与海外同类型产品相当的导通损耗；通过优化载流子设计，其关断损耗显著低于竞品。两者叠加使得综合总损耗明显降低，不仅满足工业级应用的严苛要求，更以本土化创新技术实现对海外同类产品的性能平替。
质量可靠稳定
瑶芯依托完善的全生命周期质量管理体系，从原材料入厂检测、生产过程 Spc控制，到售后失效分析与快速响应机制，构建起严密的质量管控网络，确保每一款 IGBT 产品均具备高度的性能一致性与运行稳定性，为客户提供可信赖的电力电子解决方案。
产品家族：650 V~1400 V 全覆盖
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650 V：40 A -150A，已大批量交付光伏逆变器、充电桩模块、户用储能变流器头部客户，具备极高可靠性。
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750 V：75A / 100A，支持更高母线电压中小功率的组串式逆变器和部分中小型集中式逆变器。
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1200 V：40 A~140 A，TO-247-3L/4L、TO-247-Plus-3L/4L 多封装可选，适配 UPS、工业电机驱动。
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1400 V：100 A / 140 A，国内首批通过 1000 h 高温反偏（HTRB）考核，直击 1500 V 光伏系统痛点。
瑶芯IGBT S3 平台——更高功率密度、更低损耗、更强可靠性，让每一度电更高效、让每一瓦成本更极致，为新能源与工业应用注入“芯”动能！
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